El proyecto de investigación se sitúa en la intersección de la innovación en Ingeniería de Materiales y Semiconductores, con un objetivo central: lograr la heteroepitaxia, un proceso de deposición epitaxial de un material cristalino sobre un sustrato diferente. Esta técnica, durante mucho tiempo buscada en el campo de los semiconductores, promete ventajas significativas, incluidas reducciones sustanciales de costos mediante el procesamiento a escala de obleas y la integración monolítica de varios materiales. Como parte de la Cátedra de Investigación Umicore en Nano-Membranas para Semiconductores y Optoelectrónica Flexible en la Université de Sherbrooke, el tema de investigación tiene como objetivo generar nuevos conocimientos en ciencia de materiales e ingeniería de semiconductores explorando el proceso PEELER y desarrollando obleas de ingeniería libres de defectos. Se espera que los resultados anticipados revolucionen la industria de dispositivos de sensores de infrarrojo de onda corta (SWIR) con posibles implicaciones en diversos ámbitos de innovación: telecomunicaciones, atención médica y monitoreo ambiental.
- Maestría en ingeniería de materiales, ingeniería eléctrica, ingeniería mecánica, física de la materia condensada o campos relacionados.
- Experiencia en investigación en ingeniería de semiconductores.
- Capacidad demostrada para trabajar en equipo y liderar proyectos de investigación independientes.
Organización/Empresa – Université de Sherbrooke
Área de Investigación – Ingeniería Mecánica; Ingeniería Eléctrica; Ingeniería Electrónica
País – Canadá
Fecha límite de solicitud – 30 de abril de 2024
Más información: EURAXESS
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